Các hệ thống phân tích bề mặt của Hiden Analytical là một giải pháp toàn diện để lập hồ sơ chuyên sâu và phân tích thành phần của mẫu trong nhiều lĩnh vực: phân tích bề mặt, kỹ thuật màng mỏng, công nghiệp bán dẫn, nghiên cứu pin nhiên liệu,… Bên cạnh đó, hệ thống có thể cung cấp tùy chọn theo nhu cầu nghiên cứu cụ thể hay yêu cầu giám sát quá trình, đảm bảo hiệu suất tối đa, phù hợp với ứng dụng của người dùng (thiết bị custom SIMS solutions).
Sản phẩm
Compact SIMS
Ứng dụng
- Sự nhiễm bẩn của Silicone
- Lớp phủ quang học màng mỏng
- Vật liệu điện tử
- Pin mặt trời linh hoạt
AutoSIMS
- Model: AutoSIMS
- Manufacturer: Hiden Analytical
Hiden Analytical đã phát triển hệ thống phân tích bề mặt tự động hoàn toàn trong AutoSIMS, một máy đo phổ khối ion thứ cấp (SIMS) sáng tạo có thể thực hiện các phân tích thông thường và lặp đi lặp lại mà không cần giám sát. Với bàn XY tự động hoàn toàn và giá đỡ mở rộng, AutoSIMS của Hiden có thể chạy hàng trăm quy trình một ngày trong hoạt động 24/7 không ngừng nghỉ.
Đặc điểm:
- Phân tích tự động không cần giám sát nhiều mẫu
- Kích thước nhỏ gọn
- Bố trí thân thiện với người dùng dễ dàng
- Dò sâu theo chiều sâu
- Chỉ yêu cầu nguồn điện một pha (dưới 10 A)
- SIMS dương và SNMS
- Thiết kế xe di động
- Mô hình hóa và hình ảnh 3D
- Phổ khối
- Phân tích đồng vị
- Các thông số có thể được chỉ định qua bảng tính
- Độ phân giải chiều sâu nanomet
- Bảo trì theo mô đun để có thời gian hoạt động cao
- Súng ion oxy để phân tích nhạy
- Giá đỡ mẫu kiểu băng cassette có thể tùy chỉnh
Ứng dụng:
- Nhiễm silicon
- Tế bào năng lượng mặt trời linh hoạt
- Stent phẫu thuật
- Vật liệu điện tử
SIMS Workstation
- Model: SIMS Workstation
- Manufacturer: Hiden Analytical
- Có thể phát hiện được tất cả các nguyên tố và đồng vị của chúng
- Độ nhạy cao, giới hạn phát hiện rộng (có thể phát hiện tới ppb)
- Tư động căn chỉnh khối lượng cho hiệu suất SIMS tối ưu
SIMS thường được ứng dụng để phân tích bề mặt vật liệu, bao gồm:
- Kỹ thuật màng mỏng, công nghệ nano
- Phân tích các chất pha tạp (thành phần, độ sâu phân tán) trong vật liệu bán dẫn.
- Phân tích khuyết tật/ lỗi trong pin mặt trời linh hoạt.
- Phân biệt các đồng vị.
- Phân tích thành phần bề mặt các stent phẫu thuật.
- Phân tích thành phần nhiên liệu hạt nhân.
- Phát hiện thành phần tạp trong thuốc, phân tích quá trình phân hủy lớp màng bao bọc ngoài thuốc.
ToF-qSIMS Workstation
- Model: ToF-qSIMS
- Manufacturer: Hiden Analytical
Ứng dụng:
- Phân tích cụ thể lớp đơn phân tử trên cùng của nhiễm silicon
- Stent phẫu thuật: hình ảnh, cấu hình độ sâu và phân tích bề mặt cụ thể để đặc trưng cho bề mặt gần
- Nhiễm bẩn: hình ảnh và phổ khối để xác định vị trí và nhận dạng chất gây ô nhiễm bề mặt
- Vật liệu hạt nhân: xác định các vật liệu giàu đồng vị bằng phổ khối thành phần khối lượng
- Dược phẩm: xác định tín hiệu phân tử bằng SIMS tĩnh trên bột
EQS SIMS Analyser
- Model: EQS SIMS
- Manufacturer: Hiden Analytical
- FIB-SIMS để phân tích vật liệu nano
- Nghiên cứu pin
- Vật liệu hạt nhân
- Khoa học bề mặt UHV
MAXIM
- Model: MAXIM
- Manufacturer: Hiden Analytical
DÀNH CHO PHÂN TÍCH BỀ MẶT
Máy phân tích khối phổ ion thứ cấp Hiden MAXIM là một thiết bị hiện đại chuyên dụng cho việc phân tích thành phần nguyên tố và đồng vị của bề mặt vật liệu. Nó hoạt động bằng cách bắn phá bề mặt bằng một chùm ion sơ cấp, sau đó đo khối lượng của các ion thứ cấp được giải phóng. Điều này cho phép các nhà khoa học xác định các nguyên tố và đồng vị có mặt trên bề mặt, cũng như tỷ lệ tương đối của chúng.
Hệ thống máy phân tích MAXIM bao gồm:
- Bộ lọc năng lượng tích hợp để chấp nhận ion ở góc 30° so với trục dò.
- Quang học chiết xuất SIMS truyền qua cao.
- Bộ lọc khối ba.
- Bộ đếm ion xung.
- Bộ điều khiển điện tử.
- Stent phẫu thuật
- Tế bào năng lượng mặt linh hoạt
IG5C
- Model: IG5C
- Manufacturer: Hiden Analytical
IG5C sở hữu nguồn ion hóa bề mặt công suất thấp, độ sáng cao kết hợp với cột ion nhỏ gọn, mang đến hiệu suất vượt trội trong một thiết bị nhỏ. Hệ thống súng ion được thiết kế là nguồn ion chính cho mọi ứng dụng SIMS, bao gồm SIMS động, tĩnh và hình ảnh.
Đặc điểm nổi bật:
- Kích thước điểm bắn tối thiểu 20 Micron
- Mật độ dòng điện cao
- Xả khí trung hòa
- Nguồn ion hóa bề mặt ổn định trong không khí, có thể thay thế
- Cổng kết nối mặt bích Conflat DN-35-CF
Ứng dụng:
- Màng mỏng lớp phủ quang học
- Vật liệu điện tử
IG20
- Model: IG20
- Manufacturer: Hiden Analytical
IG20 sử dụng nguồn ion khí tác động electron độ sáng cao được thiết kế đặc biệt cho khả năng hoạt động với oxy nhưng cũng thích hợp sử dụng với các khí trơ và khí khác.
Đặc điểm:
- Kích thước điểm 100Micron
- Mật độ dòng điện cao
- Tương thích với oxy
- Dump trung tính
- Quét
- Dễ dàng thay thế sợi tóc đôi
- Lắp đặt mặt bích DN35 Conflat
Ứng dụng:
- Màng mỏng tráng phủ quang học
- Vật liệu điện tử
- Vật liệu hạt nhân
Tổng quan
Các đặc tính và tính năng của bề mặt rắn phụ thuộc vào cấu trúc hoá học của bề mặt vật liệu. Bằng cách sử dụng các thết bị phân tích bề mặt, có thể phân tích thành phần nguyên tố và trạng thái của bề mặt chất rắn.
Phần ngoài cùng của vật liệu là phần cực kỳ nhạy cảm, mang các đặc tính bề mặt như hoạt động hóa học, độ bám dính, độ ẩm, tính chất điện, tính chất quang, khả năng chống ăn mòn, ma sát và khả năng tương thích sinh học của vật liệu, và nó là cũng là bộ phận dễ bị mất đi các đặc tính đó do suy thoái và ô nhiễm môi trường, bám dính của cặn trong quá trình, v.v..
Do đó, phân tích bề mặt không chỉ được sử dụng để phát triển các bề mặt mới có chức năng cao và các sản phẩm sử dụng chúng mà còn giúp các vật liệu có chức năng cao thể hiện đúng chức năng của chúng. Ví dụ, trong quá trình sản xuất chất bán dẫn, ngay cả một lượng tạp chất hoặc độ bám dính tối thiểu của vật chất lạ trên bề mặt cũng có thể khiến sản phẩm không đáp ứng được tiêu chuẩn chất lượng. Ngoài ra, khi phát hiện ô nhiễm, thành phần chất gây ô nhiễm phải được phân tích trước để làm rõ nguyên nhân.
Các hệ thống phân tích bề mặt của Hiden Analytical là một giải pháp toàn diện để lập hồ sơ chuyên sâu và phân tích thành phần của mẫu trong nhiều lĩnh vực: phân tích bề mặt, kỹ thuật màng mỏng, công nghiệp bán dẫn, nghiên cứu pin nhiên liệu,… Bên cạnh đó, hệ thống có thể cung cấp tùy chọn theo nhu cầu nghiên cứu cụ thể hay yêu cầu giám sát quá trình, đảm bảo hiệu suất tối đa, phù hợp với ứng dụng của người dùng (thiết bị custom SIMS solutions).
Ứng dụng
-
- Phân tích bề mặt bằng kỹ thuật SIMS và SNMS: Hệ thống khối phổ ion thứ cấp SIMS được phân phối của Reecotech cung cấp các ứng dụng phân tích SIMS tính và động hiệu suất cao để phân tích thành phần bề mặt, phân tích chất gây ô nhiễm và lập hồ sơ chi tiết về độ sâu ở các lớp bề mặt mẫu.
- Phân tích bề mặt vật liệu ở cấp độ nano: Phân tích vật liệu ở cấp độ nano tập trung vào việc phát hiện các nguyên tố vi lượng và siêu vi lượng đến phạm vi ppm. Hệ thống khối phổ ion thứ cấp chùm ion hội tụ do Reecotech phân phối (FIB-SIMS) cung cấp khả phát hiện đồng vị và ion (nguyên tử, phân tử), lập bản đồ nguyên tố 3 chiều và đặt nền tảng cho phân tích định tính thành phần các lớp nano.
- Phân tích sự nhiễm bẩn silicone trên bề mặt vật liệu: Polydimethylsiloxane (PDMS) được sử dụng làm chất bôi trơn trong mỹ phẩm, phụ gia thực phẩm [E900] và chất bịt kín rất phổ biến trong công nghiệp. Tuy nhiên, PDMS có thể phân hủy thành silicon dioxide (thủy tinh), tạo thành một lớp cách điện trong thiết bị điện tử và gây khó khăn khi liên kết các bề mặt, nó cũng rất khó để loại bỏ. Thiết bị SIMS của Hiden Analytical có thể dễ dàng phát hiện sự có mặt của chất gây ô nhiễm công nghiệp quan trọng này.
- Nghiên cứu vật liệu bán dẫn – điện tử: SIMS rất quan trọng trong việc phân tích tạp chất trong vật liệu bán dẫn, ứng dụng trong việc đo trực tiếp liều lượng cấy ghép và khuếch tán ion; đo độ dày lớp, độ sắc nét của lớp và thành phần hợp kim; và giám sát quá trình kim loại hóa, thụ động hóa và sự nhiễm bẩn.
- Nghiên cứu bề mặt pin năng lượng mặt trời: Thiết bị khối phổ ion thứ cấp của Hiden Analytical phân tích cấu trúc đa thành phần phức tạp theo chiều sâu, thu thập cả các nguyên tố ở lớp nền (matrix) và các nguyên tố tạp chất (dopant) trong các tế bào pin năng lượng mặt trời.
- Xác định thành phần đồng vị trong vật liệu: Thiết bị khối phổ ion thứ cấp SIMS của Hiden Analytical có thể xác định thành phần đồng vị của vật liệu, giúp phân tích sự khuếch tán của các đồng vị trong các lớp.
- Nghiên cứu vật liệu hạt nhân: Khả năng đo lường các đồng vị và phân tích các hạt nhỏ cho phép thiết bị đo khối phổ ion thứ cấp SIMS phân tích nghiên cứu các vật liệu hạt nhân.
- Nghiên cứu bề mặt Stent: Stent là một cuộn lưới kim loại nhỏ được đặt vào khu vực mạch vành bị tắc nghẽn, cần phải tương thích sinh học với cơ thể, vì vậy khảo sát bề mặt stent là rất quan trọng. Thiết bị khối phổ của Hiden Analytical được sử dụng để phân tích thành phần bề mặt với độ chính xác đến nanomet. Bên cạnh đó, stent có thể được phủ một lớp polymer để bảo vệ hoặc để rửa giải thuốc, thiết bị SIMS có thể sử dụng trong việc nghiên cứu và mô tả lớp polymer này.
- Cấu hình độ sâu và định lượng thành phần của hợp kim bằng khối phổ trung hoà phún xạ (SNMS): Thiết bị khối phổ trung hoà phún xạ của Hiden Analytical cung cấp dư liệu độ sâu định lượng với độ phân giải cao để phân tích cấu trúc lớp của vật liệu và vùng hoạt động chính của bề mặt vật liệu.
- Ứng dụng trong lĩnh vực dược phẩm: Thiết bị SIMS của hãng Hiden Analytical có thể phân tích bột thuốc bằng cách sử dụng băng dính dẫn điện phân tán, tạo thành viên, hoặc ép vào tấm indium. Ngoài ra thiết bị này còn phát hiện sự có mặt các chất liên kết, chất làm đầy hoặc khử nước trong thuốc bằng cách sử dụng các chùm ion năng lượng thấp.